为了保证内存的兼容性以及可更换性，内存产品的结构以及相关的参数都会受到标准组织JEDEC的控制。JEDEC将会对内存的电压、速度、延时、通信协议、内存寻址以及其它在开发内存中需要的参数提出要求。如果你有兴趣的话可以通过该组织的官方网站www.jedec.org 更深入得了解DDR3内存。

　　这里需要大家记住的是 JEDEC定出的规格是官方的，因为对于出产发烧级内存产品的厂商来说，这些还仅仅只是起点而已 。比如根据JEDEC的官方标准 DDR-400应该是频率最高的DDR内存，但是实际上很多DDR产品的速率早就超过了DDR-400内存。而这在DDR2内存上也同样如此。

　　DDR内存的速率为DDR-400，而DDR2内存的官方规格为400 至 800，而DDR3根据JEDEC当前的规定其速应该在800 至 1600。在最初DDR3内存将会推出1066规格产品，其次将会推出1333规格产品，其中DDR3-1333规格产品将会非常重要，因为该内存将可以满足INTEL新一代处理器的需要。1333外频的内存可以支持所有规格的 DDR3或者 DDR2 内存，但是在使用DDR2内存时将会在800与1067间交替。因此1333规格DDR3内存将会是首款可以满足当前和未来处理器需求的内存产品。

　　由于DDR3的内存频率设计得很高，因此内存模块数据的完整性就变得很重要，目前DDR3使用的是一种名为“fly-by”，而不是DDR2内存上使用的“T branches”技术。这将意味着寻址与控制队列将会是一个DRAM与另一个DRAM之间的单线路链接，DDR2内存将会使用“T branches”技术进行DD2模块的分支。而“fly-by”则取消了机械线线性平衡而使用了设置在内存系统内的控制器产生的自动信号时间延迟。每一个DDR3内存芯片都配备一人自动的水平循环用于校准及存储校准数据。

　　另外DDR3内存将会配备更多的内置banks，据介绍DDR3内存的banks数量将会是8个这个是DDR2内存4个banks的近一部，这将会带来更快系统速度。更多的内置banks将可以允许更加先进的预取以减少存取时间，这个优点在未来内存越来越大的情况下表现得会更为明显。

　　DDR3以后将会进一步降低工作电压。在过去的几年中，DDR内存的工作电压由2.5V降至了DDR2内存的1.8V，而DDR3的工作电压将会进一步降至1.5V，相对于DDR2内存差不多降低了16%。此外DDR3内存还支持额外的省电特征，比如部分更新功能。这个功能对于移动计算的意义将会更为重要，因为这样当电脑从休眠中恢复时将无法对内存进行刷新操作。同时这也将可以进一步优化内存发热，从而可以使得笔记本电脑厂商可以在系统未处于最高性能模式下时，通过更少的刷新循环节省更多的电能。

　　当然这还不是DDR3内存的全部，对于大多数的发烧友用户来说，新一代的DDR3内存将可以提供更高的速率，预计DDR3内存速度最高可以达到1600MHz。在获得更高频率的同时，其电压也将会更低。那么现在硬件发烧友最关心的也许就是DDR3内存性能是否可以提供高于DDR2内存的性能呢?

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